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具有自動(dòng)缺陷檢測的原子力顯微鏡


全自動(dòng)AFM解決了缺陷成像和分析問(wèn)題,提高缺陷檢測生產(chǎn)率達1000%

帕克的智能ADR技術(shù)提供全自動(dòng)的缺陷檢測和識別,使得關(guān)鍵的在線(xiàn)過(guò)程能夠通過(guò)高分辨率3D成像對缺陷類(lèi)型進(jìn)行分類(lèi)并找出它們的來(lái)源。

智能ADR專(zhuān)門(mén)為半導體工業(yè)設計提供*先進(jìn)的缺陷檢測解決方案,具有自動(dòng)目標定位,且不需要經(jīng)常損壞樣品的密集參考標記。

與傳統的缺陷檢測方法相比,智能ADR過(guò)程提高了1000%的生產(chǎn)率。此外,帕克具有創(chuàng )新性的True-Contact?模式AFM技術(shù),使得新的ADR有能力提供高達20倍的更長(cháng)的探針壽命。




用于**、高吞吐量CMP輪廓測量的低噪聲原子力輪廓儀
工業(yè)優(yōu)越的低噪聲Park原子力顯微鏡(AFM)與長(cháng)距離滑動(dòng)臺相結合,成為用于化學(xué)機械拋光(CMP)計量的原子力輪廓儀(AFP)。新的低噪聲AFP為局部和**均勻性測量提供了非常平坦的輪廓掃描,具有*好的輪廓掃描精度和市場(chǎng)可重復性。這保證了在寬范圍的輪廓量程上沒(méi)有非線(xiàn)性或高噪聲背景去除的**高度測量。
超高精度和*小化探針針尖變量的亞埃級表面粗糙度測量
晶圓的表面粗糙度對于確定半導體器件的性能是至關(guān)重要的。對于*先進(jìn)的元件制造商,芯片制造商和晶圓供應商都要求對晶圓上超平坦表面進(jìn)行更**的粗糙度控制。通過(guò)提供低于 0.5 ?的業(yè)界*低噪聲,并將其與真正的非接觸式模式相結合,Park NX-Wafer能夠可靠地獲得具有*小針尖變量的的亞埃級粗糙度測量。Park的串擾消除還允許非常平坦的正交XY掃描,不會(huì )有背景曲率,即使在*平坦的表面上,也不需過(guò)多考慮掃描位置、速率和大小。這使得其非常**和可重復地對微米級粗糙度到長(cháng)范圍不平整表面進(jìn)行測量。

為在線(xiàn)晶圓廠(chǎng)計量提供高生產(chǎn)率和強大特性

光片和基板的自動(dòng)缺陷檢測

新的300mm光片ADR提供了從缺陷映射的坐標轉換和校正到缺陷的測量和放大掃描成像的全自動(dòng)缺陷復查過(guò)程,

該過(guò)程不需要樣品晶片上的任何參考標記,是獨特重映射過(guò)程。與掃描電子顯微鏡(SEM)運行后在缺陷部位留

下方形的破壞性輻照痕跡不同,新的帕克 ADR AFM能夠實(shí)現先進(jìn)的坐標轉換和更強的視覺(jué),利用晶圓邊緣和缺口來(lái)自動(dòng)實(shí)現缺陷檢查設備和AFM之間的連接。


由于它是完全自動(dòng)化的,因此不需要任何單獨的步驟來(lái)校準目標缺陷檢查系統的移動(dòng)平臺,從而將吞吐量增加到1000%。



                   




基于強大視覺(jué)進(jìn)行自動(dòng)傳送和缺陷映射的校正
利用Park的專(zhuān)有坐標轉換技術(shù),新型Park ADR AFM能夠將激光散射缺陷檢測工具獲得的缺陷映射**地傳送到300mm Park AFM系統。




自動(dòng)搜索 & 放大掃描
缺陷分兩步成像;(1)檢測成像,通過(guò)AFM或增強光學(xué)視覺(jué)來(lái)完善缺陷定位,然后(2)放大AFM掃描來(lái)獲得缺陷的詳細圖像,呈現缺陷類(lèi)型和隨后缺陷尺寸的自動(dòng)分析。




CMP進(jìn)行表征的長(cháng)范圍輪廓掃描
平坦化是在使用金屬和介電材料的后段工藝中*重要的步驟?;瘜W(xué)機械拋光(CMP)后的局部和全局均勻性對芯片制造的產(chǎn)量有很大的影響。**的CMP輪廓掃描是優(yōu)化工藝條件、獲得*佳平坦度以及提高生產(chǎn)率的關(guān)鍵計量。

C結合Park NX-Wafer的滑動(dòng)平臺,為CMP計量提供了遠程輪廓分析能力。由于Park自動(dòng)化原子力顯微鏡獨特的平臺設計,組合系統提供非常平坦的輪廓掃描,并且一般在每次測量之后不需要復雜的背景去除或前處理。Park NX-Wafer實(shí)現了****的CMP測量,包括凹陷、侵蝕和邊緣過(guò)度侵蝕(EOE)的局部和全局的平坦度測量。


亞埃級表面粗糙度控制
半導體供應商正在開(kāi)發(fā)超平坦晶圓,以解決不斷縮小元件尺寸的需求。然而,從來(lái)沒(méi)有一個(gè)計量工具能夠給這些擁有亞埃級粗糙度的襯底表面提供準確和可靠的測量。通過(guò)在整個(gè)晶圓區域提供低于0.5A的業(yè)界*低噪聲下限,并將其與真正非接觸模式相結合,Park NX-Wafer可以對*平坦的基底和晶圓進(jìn)行**、可重復和可再現的亞埃級粗糙度測量,并*小化針尖的變量。即使對于掃描尺寸達到100μm×100μm的遠距離波度,也能夠獲得非常準確和可重復的表面測量。


高吞吐量晶圓廠(chǎng)檢測和分析
? 自動(dòng)換針
? 設備前端模塊(EFEM)用于自動(dòng)晶圓傳送
? 潔凈室兼容性和遠程控制接口
? 溝槽寬度、深度和角度測量的自動(dòng)數據采集和分析

Park NX-Wafer的特征
長(cháng)范圍輪廓儀
長(cháng)范圍輪廓儀是原子力輪廓儀(AFP)的重要組成部分,并且具有用于自動(dòng)CMP輪廓掃描和分析的專(zhuān)用用戶(hù)界面。
? 200mm : 10 mm
? 300mm : 25 mm (optional 10 mm or 50 mm)


采用閉環(huán)雙伺服系統的100μm×100μm柔性導向XY掃描器
XY掃描儀由對稱(chēng)的二維撓曲和高-力的壓電堆組成,它們提供高度正交的運動(dòng),同時(shí)具有*小的平面外運動(dòng),以及納米尺度上**樣品掃描所必需的高響應性。兩個(gè)對稱(chēng)的低噪聲位置傳感器被結合在XY掃描儀的每個(gè)軸上,以便為*大掃描范圍和樣品大小保持高水平的掃描正交性。非線(xiàn)性和非平面位置誤差的次級傳感器校正和補償是由單個(gè)傳感器引起的。


擁有低噪聲位置傳感器的15μm高速Z掃描器
NX-Wafer通過(guò)利用其超低噪聲Z探測器代替通常使用的非線(xiàn)性Z電壓信號,為用戶(hù)提供****的形貌高度得到的測量精度。行業(yè)優(yōu)越的低噪聲Z探測器取代應用Z電壓作為形貌信號。由高-力壓電堆驅動(dòng)并由撓性結構引導,標準Z掃描器具有高的諧振頻率,能夠進(jìn)行更**的反饋。*大Z掃描范圍可由15μm擴展到40μm,采用可選的長(cháng)距離Z掃描儀。

自動(dòng)測量控制,使您可以獲得準確的掃描避免繁瑣的工作

               

NX-Wafer配備了自動(dòng)化軟件,使操作幾乎不費吹灰之力只要選擇所需的測量程序,就可獲得**的多點(diǎn)分析懸臂調整,掃描速率,增益和設定點(diǎn)參數的優(yōu)化設置。


Park的用戶(hù)友好的軟件界面為您提供了創(chuàng )建定制操作例程的靈活性,以便您可以全方面使用NX-Wafer以獲得所需的測量。
創(chuàng )建新例程很容易。從零開(kāi)始,大約需要10分鐘,或不到5分鐘修改現有的一個(gè)。



Park NX-Wafer的自動(dòng)化系統特點(diǎn):


? 無(wú)論是自動(dòng)模式,半自動(dòng)模式還是手動(dòng)模式,都可以完全控制

? 每個(gè)自動(dòng)例程的可編輯測量方法
? 對測量過(guò)程進(jìn)行實(shí)時(shí)監測
? 對獲得的測量數據的自動(dòng)分析

生產(chǎn)率滿(mǎn)足精度要求
自動(dòng)換針 (ATX)
ATX通過(guò)圖案識別自動(dòng)定位針尖,并使用一種新穎的磁性方法使用過(guò)的探針脫離并拾取新的探針。然后通過(guò)電動(dòng)定位技術(shù)自動(dòng)對準激光光斑。

            


用于更穩定掃描環(huán)境的離子化系統
我們創(chuàng )新的離子化系統快速有效地去除了樣品環(huán)境中的靜電電荷。由于該系統總是產(chǎn)生并維持正負離子的理想平衡,因此它能夠在樣品處理期間產(chǎn)生極其穩定的電荷環(huán)境,且對周?chē)鷧^域幾乎沒(méi)有污染,可將意外靜電電荷的風(fēng)險*小化。






總動(dòng)晶圓裝卸器 (EFEM or FOUP)
NX-Wafer可配置各種自動(dòng)晶圓裝卸器(Cassette 或 FOUP 或其他)。高精度、非破壞性的晶圓裝卸器的機器人臂充分確保用戶(hù)始終獲得快速可靠的晶圓測量。


           
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